Micron investe in memorie 3D NAND a Singapore

Micron ha avviato la costruzione di Fab 10B a Singapore, un nuovo impianto che incrementerà significativamente la sua capacità produttiva di memorie flash 3D NAND. Si prevede che la nuova fabbrica, una volta completata e a pieno regime tra circa 10 anni, più che raddoppierà l'output di memorie 3D NAND dell'azienda nella regione.

Questo investimento strategico sottolinea l'importanza crescente delle memorie NAND nel panorama tecnicico attuale, alimentando una vasta gamma di applicazioni, dai dispositivi mobili ai data center. L'espansione della capacità produttiva è fondamentale per soddisfare la domanda in continua crescita di soluzioni di storage ad alte prestazioni e alta densità.